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芯片类属于什么专利

类专利分为发明专利、实用新型专利和外观设计专利,分别对应核心技术创新、结构改进及

芯片相关的专利类型

芯片领域涉及多种专利类型,主要包括发明专利实用新型专利外观设计专利,其中以发明专利为主,不同类型的专利保护对象各有侧重:

  • 发明专利:覆盖芯片的技术方案(如电路设计、制造工艺、算法架构等)、功能创新及核心技术突破;
  • 实用新型专利:针对芯片产品的形状/结构改进(例如封装方式优化、散热模块设计);
  • 外观设计专利:保护芯片或其包装的美学造型(如独特的引脚排列图案)。

常见芯片技术的专利分类示例

技术领域 典型创新内容 适用专利类型 说明
半导体材料制备 新型高纯度硅基材料的提纯方法 发明专利 涉及化学合成与物理处理的核心工艺,需通过实验数据验证可行性
晶体管结构优化 FinFET三维栅极结构的尺寸缩减技术 发明专利+实用新型 既包含原理性创新(发明),也涉及具体实施方式(结构改良可申实用新型)
光刻制程控制 EUV光源功率稳定性补偿算法 发明专利 属于复杂数学模型与软件控制的交叉领域,符合“方法发明”的保护范畴
封装散热设计 多层陶瓷基板内的微通道冷却系统 实用新型专利 侧重于物理结构的实用性改进,无需达到创造性高度即可授权
芯片外观标识 品牌专属的LOGO蚀刻图案 外观设计专利 仅保护视觉美感表达,不延及技术功能

关键判断标准

  1. 技术性 vs 艺术性
    • 若创新点在于解决技术问题(如提升性能、降低成本),应申请发明专利;
    • 若仅为装饰性设计(如色彩搭配),则适用外观设计专利。
  2. 创新性门槛差异
    • 发明专利要求“显著进步”(非显而易见性),而实用新型只需“实质性特点”;
    • 将传统平面电感改为立体堆叠式设计,可能同时满足两类专利条件。
  3. 保护范围广度
    • 发明专利可禁止他人使用相同原理的不同实施例;
    • 实用新型仅限制止完全复制特定结构参数的产品。

典型案例解析

例1:台积电5nm制程节点突破

获批类型:发明专利(USPTO案号US2020XXXXXXX)
🔬 核心贡献:极紫外光刻下的多重曝光校正算法,使晶体管密度提升80%;
⚖️ 法律依据:满足新颖性(首次实现)、创造性(突破行业极限)和实用性(已量产)。

例2:某厂商的BGA封装外壳改良

📐 获批类型:实用新型专利(CN20212XXXXXXX)
🔧 改进细节:在球栅阵列底部增加减震缓冲层,降低运输损坏率;
📝 申请要点:通过CAD图纸明确结构参数,附失效模式分析报告支持稳定性主张。


相关问题与解答

Q1:同一项芯片技术创新能否同时申请多种类型专利?
👉 :可以但需满足独立授权条件,新的存储器单元设计可同时申报:①发明专利(存储矩阵编址方法)、②实用新型专利(电容式浮置栅极结构)、③外观设计专利(晶圆表面的商标印花),各专利需分别撰写权利要求书并缴纳费用。

Q2:如何评估某项改进适合申哪类专利?
💡 建议流程

  1. 拆解创新要素 → 2. 对照《专利审查指南》分类定义 → 3. 进行FTO(自由实施)检索排除现有技术 → 4. 根据预期商业价值选择策略:
    • 颠覆性技术→发明专利长期垄断;
    • 渐进式改良→实用新型快速获权;
    • 品牌形象需求→外观设计补充布局

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