晋华集成电路有限公司专利介绍
1、“半导体器件”专利：
申请时间：2023年。
公开号：CN119095378A。
：该专利主要围绕半导体器件的结构设计展开，其创新之处在于围堤结构的优化设计，通过多个延伸垫的交错排列形成锯齿状突出部，不仅增强了机械稳定性，还显著提升了散热能力，这种设计使得在高功率应用和严苛环境下，器件的可靠性得到大幅提高。
应用领域：广泛应用于智能手机、可穿戴设备以及各类物联网设备中，为这些终端产品提供更稳定、可靠的性能支持。
2、“一种针对半导体结构的制备方法”专利：
申请时间：2024年8月。
公开号：CN119095378A。
：该专利聚焦于半导体制造过程中对准标记的处理流程，通过在形成对准标记之前去除第二区上的堆叠层，随后沉积介质层来提升对准标记的质量，这一策略有效防止了导电柱错位现象的发生，从而显著提高了三维存储器的良率。
应用领域：主要应用于半导体制造领域，对提升半导体产品的质量和生产效率具有重要意义。
3、“半导体器件及其制作方法”专利：
申请时间：2024年10月。
公开号：CN119277783A。
：该专利涉及一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、多个第一下电极和第二下电极，多个第一下电极在衬底上排列成阵列，外轮廓为圆形，且在多个方向上排列；多个第二下电极的外轮廓包括圆形主体及三个突出部，分别沿不同方向延伸，这种设计提高了器件的性能，可能降低制造成本，并有效提高电流的均匀性，降低信号损耗。
应用领域：适用于各种电子应用场景，对提升半导体器件的效率和质量具有重要意义。
相关问题与解答
1、晋华集成电路有限公司在半导体领域的竞争优势是什么？
晋华集成电路有限公司在半导体领域展现出显著的技术创新能力，特别是在提升器件结构稳定性与可靠性方面取得重要突破，其新型半导体器件通过优化围堤结构设计，不仅增强了机械稳定性，还显著提升了散热能力，这对于在高功率应用和严苛环境下保持器件可靠性至关重要，公司还专注于半导体制造工艺的创新，如优化对准标记处理流程以提升三维存储器良率，进一步巩固了其在行业中的技术领先地位，晋华集成电路积极布局知识产权，已注册大量专利，彰显了其在技术创新和保护方面的全面性和前瞻性。
2、晋华集成电路有限公司的专利技术如何影响电子产品的发展？
晋华集成电路有限公司的专利技术对电子产品的发展产生了深远影响，通过提升半导体器件的性能和可靠性，这些技术直接推动了电子产品向更高性能、更长续航和更小尺寸发展，优化后的围堤结构设计使得器件在高功率应用中更加稳定可靠，为智能手机、可穿戴设备等提供了更强的性能支持，改进的制造工艺也提高了生产效率和产品质量，降低了生产成本，使得电子产品更加普及和亲民，随着5G技术和人工智能的快速发展，对半导体器件的要求越来越高，晋华集成电路的专利技术为电子产品的创新升级提供了有力支持。